Примеры применения лазеров

Лазерное получение особо чистых веществ

В качестве примера приведём получение особо чистых материалов микроэлектроники.

Для получения особо чистого кремния газ SiH₄ очищался от остаточных примесей с помощью излучения эксимерного ArF — лазера с длиной волны 196 нм. В результате органические примеси диссоциировали и получен кремний с рекордным значением содержания примесей — 10¹⁰ в см³.

Один из важных материалов полупроводниковой электроники — трихлорид мышьяка — AsCl₃ очищается от основных примесей — 1,2-дихлорэтана C₂H₄Cl₂ и четырёххлористого углерода — CCl₄ облучением излучения CO₂ — лазера, которое приводит к диссоциации молекул примесей при настройке частота на соответствующие линии поглощения.

Лазерный синтез новых соединений

• Поливинилхлорид — лазерное излучение позволило снизить температуру синтеза и избавиться от примесей.
• Синтез витамина D (2 стадии — KrF- и азотный лазеры).
• Фрагментация молекул: SF₆ – SF₅ – SF₄.
• Синтез молекулы P₂N₅.

Лазерная стереолитография

Лазерная стереолитография — одна из технологий быстрого прототипирования. Технология лазерной стереолитографии основана на фотоинициированной лазерным излучением или излучением ртутных ламп полимеризации фотополимеризующейся композиции (ФПК).