Основные операции. Создание силицидов

В связи с тем, что развитие микроэлектроники идёт по пути уменьшения размеров отдельных элементов и соответственно глубин легирования полупроводниковых кристаллов, лазерное воздействие на многослойные структуры может быть наиболее перспективным при формировании тонких приповерхностных слоёв с заданными электрофизическими свойствами. Для более полного понимания процессов, протекающих при воздействии лазерного излучения на многослойные структуры, необходимо попытаться смоделировать процессы, происходящие при таком воздействии. Поскольку сами процессы сильно неравновесны, то затруднительно в теоретических расчётах учесть все реальные экспериментальные факторы, влияющие на эффекты массо- и теплопереноса.

С каждым годом появляется всё большее число работ по воздействию лазерного излучения на слоистые структуры. Изучение процессов, происходящих при воздействии лазерного излучения из систему «плёнка – полупроводниковая подложка», является при этом наиболее сложной проблемой. Сложность состоит в том, что процесс формирования поверхностного слоя в данной системе будет зависеть от многих параметров (материала и толщины плёнки, длины волны и длительности лазерного импульса, типа полупроводниковой подложки). При этом могут осуществляться разные режимы:

— излучение полностью поглощается плёнкой (толстые, более 1000 Å плёнки металлов) и передача энергии в подложку происходит за счёт теплопроводности;

— излучение частично поглощается в плёнке (полупроводниковые плёнки и тонкие плёнки металлов), а остальная часть проходит к подложке и поглощается в ней.

Поэтому в случае сильно поглощающих плёнок можно ограничиться чисто тепловой моделью процесса лазерного воздействия на слоистую структуру. При изучении данной проблемы следует рассматривать процессы поглощения лазерного излучения, тепло- и массопереноса как в металлах, так и в полупроводниках.