Механизмы поглощения лазерного излучения полупроводниками и диэлектриками

В отличие от металлов в энергетическом спектре полупроводников и диэлектриков существует запрещённая зона E_g, не содержащая энергетических уровней. Кроме того, легированные полупроводники характеризуются глубиной залегания донорных (акцепторных) уровней E_i (i = d, a). Поэтому в зависимости от соотношения между энергией кванта hν и указанными энергетическими параметрами, включая температуру kT, в полупроводниковых материалах могут реализовываться следующие типы механизмов поглощения.