Диэлектрический механизм (kT ≪ hν ≪ Eg)
Перенос энергии от поверхностных слоев полупроводника в объём так же, как и в металле, определяется процессами теплопроводности. При этом в начальной стадии процесса, когда концентрация свободных электронов в отличие от металла невелика, преобладает фононная теплопроводность. По мере роста концентрации ñe, всё большая часть энергии переносится электронами проводимости, и они начинают воздействовать на суммарную теплопроводность, когда ñe > ñe ′.
Перенос энергии в полупроводнике может также осуществляться за счёт рекомбинационного излучения.
Аналог механизма металлического поглощения при hν < Еg может проявляться также и в собственных полупроводниках. Как правило, на начальном этапе концентрация свободных носителей ñe ∼ exp(−Еg/2kT) мала и поглощение незначительно. Однако при относительно высоких плотностях потока излучения возможен «разогрев» первоначально малого количества электронов в зоне проводимости, что может привести к термической ионизации валентной зоны и к развитию самоускоряющегося процесса разогрева вещества за счёт роста концентрации свободных носителей.
Поглощение света диэлектриками сильно зависит от длины волны. В ИК-области поглощение определяется колебательными состояниями кристаллической решётки, а в органических соединениях — межмолекулярными колебаниями. Для этих материалов в ИК–области типичны значения коэффициента поглощения 102 ÷ 104 см −1. В видимой области спектра поглощение может быть обусловлено примесями (например, ионами переходных металлов, дефектами кристаллической решётки и т. п.) или «хвостом» сильных УФ–полос поглощения. Оно может также вызываться дискретными электронными переходами в молекулярных кристаллах (например, во многих органических соединениях). Типичные коэффициенты поглощения в этой области 10−1 ÷ 103 см −1.
