Лазерное получение особо чистых веществ и новых соединений

Лазерное получение особо чистых веществ

В качестве примера приведём получение особо чистых материалов микроэлектроники.

Для получения особо чистого кремния газ SiH₄ очищался от остаточных примесей с помощью излучения эксимерного ArF-лазера с длиной волны 196 нм. В результате органические примеси диссоциировали и получен кремний с рекордным значением содержания примесей — 10¹⁰ в см³.

Один из важных материалов полупроводниковой электроники — трихлорид мышьяка — AsCl₃ очищается от основных примесей — 1,2-дихлорэтана C₂H₄Cl₂ и четырёххлористого углерода — CCl₄ облучением излучения CO₂-лазера, которое приводит к диссоциации молекул примесей при настройке частота на соответствующие линии поглощения.

Лазерный синтез новых соединений

• Поливинилхлорид-лазерное излучение позволило снизить температуру синтеза и избавиться от примесей.
• 2 стадии: KrF- и азотный лазеры.
• SF₆–SF₅–SF₄.
• Синтез молекулы P₂N₅.