Генерация носителей заряда в полупроводниках — появление электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Генерация носителей заряда происходит под действием теплового движения атомов кристаллической решётки (тепловая генерация), а также внешних факторов — освещения (оптическая генерация), облучения потоками частиц, сильных электрических полей.