Туннельный диод (Эсаки диод) — полупроводниковый диод, содержащий p-n-переход с очень малой толщиной запирающего слоя. Действие туннельного диода основано на прохождении свободных носителей заряда (электронов) сквозь узкий потенциального барьер благодаря квантовомеханическому процессу туннелирования.