Описание лазерных технологических процессов

Отжиг

В последние несколько лет это наиболее быстро развивающаяся область применения лазеров, заключающаяся в устранении повреждений в полупроводниках, вызванных имплантацией ионов при производстве интегральных схем. Эксперименты показали, что эффективность лазерного отжига дефектов, возникающих при ионной имплантации, но большинству параметров выше, чем традиционных методов отжига в диффузионных печах, поскольку при лазерном отжиге нагревается только слой с повреждениями (а — коэффициент температуропроводности), свойства подложки не ухудшаются.

Легирование

Значительное преимущество — неравновесный характер термодинамики плавления при нагреве лазерным импульсом. Резкий рост пределов растворимости примесей Sb, B, P, Ga, As в кремнии. Например, концентрация Те в GaAs пpи импульсной обработке превышает максимальный предел растворимости более чем в 10 раз. Создание тонких линейчатых структур. Различие в поглощении областей с низкой и высокой концентрациями примесей приводит к получению тонких линейчатых структур на легированном кремнии.

Геттерирование

Использование лазерного излучения для создания на обратной стороне полупроводниковых пластин дефектов, способных собирать загрязнения. Такое воздействие может осуществляться несколько раз в процессе обработки пластин.

Образование силицидов

Электрические контакты и токопроводящие дорожки на кремниевых полупроводниках создаётся силицидами металлов. После осаждения тонкого слоя металла на кремниевую подложку система «металл-кремний» нагревается лазерным импульсом до температуры прохождения химической реакции без нагрева соседних структур.

Окисление

Импульсный лазерный нагрев поверхности полупроводниковых пластин в атмосфере кислорода или на воздухе приводит к селективному окислению поверхности по заданному рисунку.