Описание лазерных технологических процессов

Травление

Удаление части материала (тонкой плёнки) с помощью испарения лазерным лучом по заданному рисунку или обработка поверхности светом (УФ-диапазон) с изменением физических свойств и последующим химическим травлением (фотолитография).

Очистка поверхности

Термическая десорбция поверхностных загрязнений при плавлении поверхности полупроводника лазерным лучом (аналог метода зонной очистки).

Осаждение тонких плёнок

Использование лазерного излучения как источника нагрева мишени приводит к высокой степени ионизации вещества (при q ≥ q_c⁽⁴⁾), высоким скоростям осаждения и роста плёнок, возможности сохранении сложного стехиометрического состава многокомпонентных соединений. Улучшение свойств структуры. Снижение концентрации дефектов за счёт импульсной перекристаллизации может активно использоваться для улучшения структурных свойств.

Скрайбирование

Надрезание полупроводниковых пластин лазерным лучом с последующим механическим разломом позволяет эффективно разделять готовые структуры на отдельные микросхемы.

Подгонка

Использование лазерного луча для подгонки отдельных элементов микросхем (конденсаторов, сопротивлений) по контрольным параметрам.