Основные операции. Окисление

К преимуществам лазерного окисления (получения слоёв SiO и SiO₂) можно отнести локальность процесса и значительное увеличение скорости окисления. В целом, можно считать, что наиболее актуальная задача формирования границы раздела «диэлектрик – полупроводник» между функциональными слоями СБИС в случае кремния принципиально решена при использовании в качестве диэлектрика двуокиси кремния SiO₂. Совершенно иная ситуация наблюдается для полупроводников группы A₃B₅. При использовании традиционных диэлектриков, таких, как SiO₂, Si₃N₄, SiON, Al₂O₃ получение воспроизводимых и качественных МДП-структур невозможно. Эта задача была решена с помощью лазерных методов. Так, на поверхности GaAs n-типа при облучении непрерывным АИГ:Nd-лазером в атмосфере кислорода получен собственный оксид Ga₂O₃. Совершенные методы исследования показали, что при изменении характерных времён нагрева и остывания удаётся регулировать и воспроизводить толщину слоя Ga₂O₃ на поверхности GaAs. Для изготовления аналогов МДП-структур на основе геттеропереходов весьма эффективным оказывается метод лазерного осаждения из твёрдой мишени соединений A₂B₆ на поверхность A₃B₅, если АИГ: Nd-лазер работает в режиме свободной генерации. Этим альтернативным методом при температуре подложки 360 °С получены структуры InSb-CdTe с минимальной плотностью поверхностных состояний ниже 6 · 10¹⁰ см ⁻² · эВ ⁻¹, с малым встроенным зарядом и безгистерезисными вольт-фарадными характеристиками.