Лазерные технологии
12. Лазерная технология полупроводников. Часть 1 Основные операции. Окисление
Скачать Содержание

Основные операции. Окисление


К преимуществам лазерного окисления (получения слоёв SiO и SiO2) можно отнести локальность процесса и значительное увеличение скорости окисления. В целом, можно считать, что наиболее актуальная задача формирования границы раздела «диэлектрик – полупроводник» между функциональными слоями СБИС в случае кремния принципиально решена при использовании в качестве диэлектрика двуокиси кремния SiO2. Совершенно иная ситуация наблюдается для полупроводников группы A3B5. При использовании традиционных диэлектриков, таких, как SiO2, Si3N4, SiON, Al2O3 получение воспроизводимых и качественных МДП-структур невозможно. Эта задача была решена с помощью лазерных методов. Так, на поверхности GaAs n-типа при облучении непрерывным АИГ:Nd-лазером в атмосфере кислорода получен собственный оксид Ga2O3. Совершенные методы исследования показали, что при изменении характерных времён нагрева и остывания удаётся регулировать и воспроизводить толщину слоя Ga2O3 на поверхности GaAs. Для изготовления аналогов МДП-структур на основе геттеропереходов весьма эффективным оказывается метод лазерного осаждения из твёрдой мишени соединений A2B6 на поверхность A3B5, если АИГ: Nd-лазер работает в режиме свободной генерации. Этим альтернативным методом при температуре подложки 360 °С получены структуры InSb-CdTe с минимальной плотностью поверхностных состояний ниже 6 · 1010 см −2 · эВ −1, с малым встроенным зарядом и безгистерезисными вольт-фарадными характеристиками.