Основные операции. Лазерный отжиг полупроводников после ионной имплантации

На рис. 2 отражена динамика структурных изменений от времени в аморфном слое кремния при импульсном лазерном отжиге с энергией Е₁ (а) и Е₂ (б) (Е₁ < Е₂). Стрелками показано движение фронта плавления (красная линия) и последующей кристаллизации (эпитаксии, синяя линия). Кружком обозначено место и время появления кристаллитов в расплаве. Штриховая прямая — граница областей a-Si–с-Si в исходной структуре; 1 — монокристалл после эпитаксиальной кристаллизации, 2 — поликристалл

Рис. 2. Динамика структурных изменений от времени в аморфном слое кремния при импульсном лазерном отжиге с энергией Е₁ (а) и Е₂ (б) (Е₁ < Е₂)