Основные операции. Лазерный отжиг полупроводников после ионной имплантации

Из данных таблицы можно заключить, что реальный профиль распределения примеси определяется относительными вкладами процессов диффузии и сегрегации в каждом конкретном режиме лазерного отжига. Для примесей с большим K ^′ профиль монотонно уширяется без проявления сегрегационных эффектов, за счёт диффузионного перераспределения примеси в жидкой фазе. В случае примесей с малым значением K ^′ после отжига практически вся примесь оттесняется к поверхности и даже может частично испаряться. Экспериментально было также установлено, что количество сегрегировавшей к поверхности примеси при отжиге уменьшается по мере увеличения исходного уровня концентрации примеси. В заключение необходимо отметить, что реализация такого технологического процесса наиболее эффективна при лазерном отжиге слоёв с большой концентрацией примеси, практически аморфизированных ионной имплантацией. Однако в силу открытости вопроса о поведении точечных дефектов при лазерном отжиге целесообразность применения этого процесса должна рассматриваться в каждом случае исходя из требований к конкретному полупроводниковому прибору.

Рис. 1. Схема ИЛО