Лазерные технологии
14. Лазерная технология полупроводников. Часть 3 Основные операции. Осаждение тонких плёнок
Скачать Содержание

Основные операции. Осаждение тонких плёнок


Рис. 9. Распределение плёнки Si на подложке по толщине относительно биссектральной оси (обозначена пунктиром)