Основные операции. Осаждение тонких плёнок

Синтез наноразмерных материалов и структур методом импульсного лазерного осаждения

Основные характеристики синтеза наноразмерных материалов и структур методом импульсного лазерного осаждения:

— скорость роста 0,01 ml за импульс, в случае автоматизации — прецизионный контроль;

— возможность роста (суб)монослойных, сплавных стехиометрических, многослойных покрытий;

— формирование структур металл-диэлектрик-полупроводник в одном вакуумном цикле.

Рис. 12. Зависимость количества импульсов осаждения от толщины Si (A)	Рис. 13. МДП-структура Ni/NiSi/α-Si/HfO2/Si(100), выращенная с использованием ИЛО