Лазерные технологии
14. Лазерная технология полупроводников. Часть 3 Основные операции. Осаждение тонких плёнок
Скачать Содержание

Основные операции. Осаждение тонких плёнок


a)

б)

в)

Рис. 17. Микрофотографии поверхности плёнок YBa2Cu3O7 − δ с 4000-кратным увеличением:
а) для традиционного варианта напыления (конфигурация I); б) для напыления в конфигурации II; в) для напыления с экранированием прямого потока распылённого вещества

Рис. 18. Параметры напыления:
1 — без экрана, подложнка SrTiO3 (100); 2 — с экраном, подложка SrTiO3 (100); 3 — с экраном, подложка YSZ (100)