Лазерные технологии
14. Лазерная технология полупроводников. Часть 3 Основные операции. Осаждение тонких плёнок
Скачать Содержание

Основные операции. Осаждение тонких плёнок


Рис. 20. 2G ВТСП ленты:
а) критический ток: Ic = 300–440 A/cм; б) критический ток Ic = 300 A/cм