Лазерные технологии
14. Лазерная технология полупроводников. Часть 3
Основные операции. Осаждение тонких плёнок
Основные операции. Осаждение тонких плёнок
Рис. 20. 2
G
ВТСП ленты:
а) критический ток:
I
c
= 300–440 A/cм; б) критический ток
I
c
= 300 A/cм
19/27