Завершающие операции. Лазерное скрайбирование

a)	б)

Рис. 21. Результат лазерного скрайбирования:
а) кремниевый субстрат, разделённый на отдельные пластинки; б) макрофотография углов отдельных чипов с микросхемами на сапфировой подложке

Процесс лазерного скрайбирования определяется набором параметров. Длина волны излучения, мощность излучения, диаметр фокального пятна, частота следования и длительность импульсов являются фиксированными. А скорость скрайбирования, шаг поперечной подачи образца(пластины) и число проходов можно изменять. Выбор последних параметров определяется требуемой глубиной лазерной риски, зависит от толщины пластины и размеров кристаллов (чипов). Пластины диаметром 76 мм и толщиной 380 мкм скрайбируют за два прохода при рабочей скорости стола 120 мм/с. При этом глубина риски должна быть не менее 80 мкм. Пластины диаметром 100 мм, толщиной 460 мкм скрайбируют при той же скорости, но за три прохода, получая риску глубиной 100 мкм.

При скрайбирование по технологии «stealth dicing» Фокусировка пучка осуществляется не на обращённой к лазеру поверхности, как при обычном скрайбировании, а внутри пластины (вблизи противоположной — дальней по отношению к лазеру поверхности). В результате этого при достаточной плотности мощности лазерного излучения внутри заготовки образуется линия «микро-крэков» (от английского crack — трещина, свищ), т. е. точечных дефектов.