Температура как характеристика процесса поглощения лазерного излучения
Соответствующие времена передачи энергии обратны частотам указанных процессов.
При больших уровнях плотности потока лазерного излучения q > 109 Вт/см2 возможно нарушение условия равновесности функции распределения электронов по энергии vef ≪ vee. В этом случае понятие электронной температуры некорректно, и передача энергии решётке происходит за счёт взаимодействия неравновесных электронов с фононами. При интенсивностях q < 109 Вт/см2 условие vef ≪ vee, как правило выполняется, и электронный газ можно характеризовать температурой Te. Условие vep ≪ vpp также выполняется, поэтому процессы поглощения лазерного излучения в металле характеризуются двумя температурами Te и Tp.
Для начальных моментов действия лазерного импульса, когда t ≪ τер ≃ 1011 ÷ 1012 c −1, характерно запаздывание процесса нагрева решётки металла от электронного газа. Интенсивная передача решётке энергии «горячих» электронов наступает при t > τер, когда разность температур Te − Tp достигает максимума. В дальнейшем эта разность уменьшается, и при t > 100τер, как правило, выполняется условие (Te − Tp)/Te < 0,01, что позволяет пользоваться понятием общей температуры металла T.
Для мощных коротких лазерных импульсов (τI ≃ 10 нс, q > 109 Вт/см2) максимальное значение разности Te – Tp может достигать нескольких сотен градусов, и ею нельзя пренебрегать.
Поглощённая металлом энергия лазерного излучения передаётся от зоны воздействия холодным слоям за счёт теплопроводности. При этом в интервале температур 100–1000 K основным механизмом является электронная теплопроводность, при T > 104 K существенную роль играет лучистая теплопроводность, а при низких температурах T < 100 K основной вклад вносит фононный механизм теплопроводности.