Индуцированный металлический механизм поглощения (hν > E_g)

Характерен как для собственных, так и для легированных полупроводников. Поглощение происходит на неравновесных свободных носителях, генерируемых самим излучением. Приобретённая от фотонов кинетическая энергия электронов и дырок передаётся решётке в виде тепла за счёт электрон-фононной релаксации, как в металлах.

Механизм становится эффективным, когда концентрация неравновесных свободных носителей (ñ_e, ñ_p), существенно превышающая концентрацию равновесных носителей (ñ_e, ñ_p), достигает величин ∼10²⁰ см ⁻³, сравнимых с концентрацией свободных электронов в металлах (рис. 3).