Примесный механизм поглощения (kT < E_i < hν < E_g)

Характерен для легированных полупроводников, когда энергия кванта света меньше ширины запрещённой зоны, но превосходит глубину залегания донорных или акцепторных уровней. Этот механизм наблюдается при относительно низких начальных температурах решётки, когда концентрация равновесных носителей мала (n_i ≃ N_i exp(−E_i/kT )) в сравнении с полной концентрацией N_i донорных или акцепторных центров (i = e, d ). По мере возбуждения примесных уровней и разогрева решётки примесный механизм переходит в индуцированный металлический механизм поглощения (рис. 4). Однако, в отличие от рассматриваемого выше случая, концентрация неравновесных носителей ограничена значением N_i.