Металлический механизм поглощения (hν < Eg, Ei ∼ kT )
Рис. 5. Схема металлического механизма поглощения
Характерен для легированных полупроводников. В зоне проводимости или в валентной зоне имеется большая концентрация равновесных свободных носителей (ni ≃ Ni exp(−Ei/kT )), на которых, также как в металлах, происходит поглощение света. Однако, в отличие от металлов, концентрация свободных электронов ограничена концентрацией донорных или акцепторных уровней Ni (рис. 5).
7/9
