Структурная схема лазерных технологических установок
Основным элементом любой лазерной технологической установки является лазерный излучатель. В последнее время достигнуты значительные успехи в создании технологических лазеров, позволяющие на серийных промышленных установках получать параметры излучения, ещё недавно считавшиеся уникальными для лабораторных экземпляров. Так, для CO2-технологических лазеров достижимы мощности ∼10 кВт в непрерывном режиме ∼2 кВт средней мощности в импульсно-периодическом режиме с частотой повторения ∼100 кГц и энергией в импульсе ∼10 Дж.
В области твердотельных лазеров на алюмо-иттриевом гранате созданы установки, дающие до 2 кВт в непрерывном и импульсно-периодическом режимах с уникальными параметрами импульсов до 109 Вт и большими частотами повторения до 1000 кГц. Волоконные лазеры достигли уникальных средних мощностей в 10 кВт непрерывного режима, обеспечивая при этом высокое качество излучения, дающее глубину резкости 400 мкм. Эксимерные лазеры, работающие в ультрафиолетовой области, позволяют получать уникальные параметры однородности излучения по площади поверхности и минимальные (∼1 мкм) размеры пятна фокусировки, что особенно важно в технологии микроэлектроники. От темпов внедрения в производство лазерной технологии в настоящее время в значительной степени зависит научно-технический прогресс как в электронной промышленности, так и в машиностроении. Две трети лазеров, используемых для обработки материалов в развитых капиталистических странах, применяются в производстве электронных компонентов к ЭВМ.
