Классификация лазерных технологических процессов в микроэлектронике

В настоящее время микроэлектроника освоила размеры ИС 90 нм и степень интеграции до 10⁷ активных элементов на кристалле. Однако потребности вычислительной техники и автоматики таковы, что для их удовлетворения необходимо освоение размеров 32 нм и в перспективе 13 нм и повышение степени интеграции в 10 раз. При этом движение электронов определяется не классическими, а квантовыми эффектами, включая размерное квантование.

Рис. 1. Тенденции уменьшения размеров полупроводниковых структур и области применения различных лазерных источников (эксимерных лазеров с длинами волн 248, 193 и 157 нм, а также источников глубокого и вакуумного УФ света)	Рис. 2. Пример СБИС в печатной плате

Тенденция развития микроэлектроники в направлении повышения степени интеграции, по всей видимости, сохранится и в будущем. Обеспечение такой тенденции за счёт уменьшения размеров элементов практически будет исчерпано. Остаются два пути: развитие субсистем по всей пластине и трёхмерные ИС. Возможно появление и принципиально новых решений, например в молекулярной электронике, что, правда, пока оценивается весьма проблематично. Вероятность выхода годных ИС можно оценить по формуле