Классификация лазерных технологических процессов в микроэлектронике

где D — плотность дефектов, приводящих к отказу; N — число критических операций; S — площадь кристалла; l — минимальный размер элементов микросхемы.

Из формулы следует, что с ростом площади кристалла и уменьшением критических размеров необходимо уменьшать число технологических операций и плотность дефектов. Это особенно актуально для технологии трёхмерных ИС. В субмикронной технологии возрастают требования к точности и воспроизводимости технологического режима, незначительные отклонения от которого при поточно-групповом методе организации технологии будут приводить к большим материальным и экономическим потерям из-за отказа ИС. Следовательно, необходим переход к индивидуальной обработке пластин с автоматическим контролем технологических операций. Уникальная возможность освоения полностью автоматизированной низкотемпературной технологии ИС с субмикронным разрешением при сокращении числа критических операций и контроле параметров процессов в реальном масштабе времени открывается при использовании лазерного луча в качестве технологического инструмента.

Рис. 3. Лазерные технологические операции при производстве персональных компьютеров по данным фирмы NEC — Nippon Electronic Corporation

Рис. 4. Лазерные технологические операции при производстве мобильных телефонов по данным фирмы NEC — Nippon Electronic Corporation