Классификация лазерных технологических процессов в микроэлектронике
Таблица 1
Характеристики лазерного излучения, используемые в процессах микроэлектроники
| № п/п | Технологические процессы | Плотность мощности лазерного излучения, Вт/см2 | Температура процесса, °С | Длина волны лазерного излучения, нм |
| 1 | Фотохимические | До 105 | До 300 | 100…400 |
| 2 | Термохимические | 105…108 | 300…1100 | 100…900 |
| 3 | Осаждения, травления и очистка материалов | 103…108 | 300…1100 | 100…400 |
| 4 | Отжиг, диффузия, легирование | >108 | 900…1200 | 500…1100 |
| 5 | Эпитаксия, рекристаллизация | >108 | 1100…1400 | 1100…10 200 |
| 6 | Сварка, резка | >108 | >1500 | 1100…10 200 |

Рис. 6. Классификация технологических процессов производства СБИС



