Классификация лазерных технологических процессов в микроэлектронике
Таблица 1
Характеристики лазерного излучения, используемые в процессах микроэлектроники
№ п/п | Технологические процессы | Плотность мощности лазерного излучения, Вт/см2 | Температура процесса, °С | Длина волны лазерного излучения, нм |
1 | Фотохимические | До 105 | До 300 | 100…400 |
2 | Термохимические | 105…108 | 300…1100 | 100…900 |
3 | Осаждения, травления и очистка материалов | 103…108 | 300…1100 | 100…400 |
4 | Отжиг, диффузия, легирование | >108 | 900…1200 | 500…1100 |
5 | Эпитаксия, рекристаллизация | >108 | 1100…1400 | 1100…10 200 |
6 | Сварка, резка | >108 | >1500 | 1100…10 200 |
Рис. 6. Классификация технологических процессов производства СБИС