Подготовительные операции. Очистка поверхности
Зависимость отношений амплитуд пиков С (272 эБ)/Si (92 эВ) и O (509 эВ)/Si (92 эВ) на оже-спектрах, наблюдаемых в процессе облучения кремниевой поверхности лазерным пучком с плотностью энергии 2 Дж/см2 от числа световых импульсов Hi, представлена на рис. 8а. Аналогичные результаты наблюдали и при обработке поверхности кристаллов арсенида галлия импульсами с плотностью энергии 1 Дж/см2 (рис. 8б).
Видно, что обработка образцов несколькими лазерными импульсами (ni ∼ 10) приводит к снижению концентраций углерода и кислорода на поверхности кремния соответственно в 15 и 9 раз. При проведении лазерной очистки поверхности арсенида галлия при пятикратном облучении с плотностью энергии 1 Дж/см2 поверхностная концентрация углерода и кислорода снизилась соответственно в 19 и 17 раз.
Рис. 8. Зависимость отношений амплитуд пиков С (272 эБ)/Si (92 эВ) и O (509 эВ)/Si (92 эВ) на оже-спектрах, наблюдаемых в процессе облучения кремниевой поверхности лазерным пучком с плотностью энергии 2 Дж/см2 от числа световых импульсов ni