Подготовительные операции. Очистка поверхности

Зависимость отношений амплитуд пиков С (272 эБ)/Si (92 эВ) и O (509 эВ)/Si (92 эВ) на оже-спектрах, наблюдаемых в процессе облучения кремниевой поверхности лазерным пучком с плотностью энергии 2 Дж/см² от числа световых импульсов H_i, представлена на рис. 8а. Аналогичные результаты наблюдали и при обработке поверхности кристаллов арсенида галлия импульсами с плотностью энергии 1 Дж/см² (рис. 8б).

Видно, что обработка образцов несколькими лазерными импульсами (n_i ∼ 10) приводит к снижению концентраций углерода и кислорода на поверхности кремния соответственно в 15 и 9 раз. При проведении лазерной очистки поверхности арсенида галлия при пятикратном облучении с плотностью энергии 1 Дж/см² поверхностная концентрация углерода и кислорода снизилась соответственно в 19 и 17 раз.

Рис. 8. Зависимость отношений амплитуд пиков С (272 эБ)/Si (92 эВ) и O (509 эВ)/Si (92 эВ) на оже-спектрах, наблюдаемых в процессе облучения кремниевой поверхности лазерным пучком с плотностью энергии 2 Дж/см² от числа световых импульсов n_i