Лазерные технологии
14. Лазерная технология полупроводников. Часть 3 Основные операции. Осаждение тонких плёнок
Скачать Содержание

Основные операции. Осаждение тонких плёнок


Если плотность потока лазерного излучения ненамного превышает пороговое значение абляции, количество крупных включений в распылённом потоке минимально. Вместе с тем, значительное превышение порога плазмообразования q4 приводит к дополнительному разрушению мишени и вовлечению впаро-плазменныйэрозионный поток крупных фрагментов, что вследствие бомбардировки подложки ухудшает морфологию синтезируемых плёнок. В качестве примера на рис. 4 приведены фотографии поверхности плёнок олова, снятые на атомно-силовом микроскопе, синтезированные при небольшом превышении порога плазмообразования (справа) и при достаточно больших значениях плотности мощности лазерного излучения на мишени (слева). Видно, что значительное увеличение плотности мощности выше критического значения q4, на порядок увеличивает шероховатость поверхности синтезированных плёнок.

а)

б)

Рис. 4. АСМ изображения поверхности тонких плёнок 119Sn, полученных при различной плотности мощности излучения АИГ:Nd 3+-лазера:
а) 1,85·109 Вт/см2, шероховатость 20 нм; б) 2,5·108 Вт/см2, шероховатость 2 нм